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J-GLOBAL ID：200903028800349351

シリコンウエハーの洗浄方法

Inventor： キム インチュン ,  ベ ソイク
Applicant, Patent owner： シルトロン インク
Agent (1)： 鷲田 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007334955
Publication number (International publication number)：2008166795
Application date： Dec. 26, 2007
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：

【課題】シリコンウエハー表面の金属不純物を有効に除去すると共に、シリコンウエハーの表面粗さを改善させなること。【解決手段】(S1)シリコンウエハーの表面を標準洗浄1に従ってSC-1洗浄液で洗浄する第1段階;(S2)上記第1段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、標準洗浄2に従ってSC-2洗浄液で洗浄する第2段階;(S3)上記第2段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、フッ酸(HF)溶液で洗浄する第3段階;及び(S4)上記第3段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、オゾン水を用いて洗浄する第4段階;を含むシリコンウエハーの洗浄方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコンウエハーの洗浄方法であって、 (S1)シリコンウエハーの表面を標準洗浄1に従ってSC-1洗浄液で洗浄する第1段階; (S2)上記第1段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、標準洗浄2に従ってSC-2洗浄液で洗浄する第2段階; (S3)上記第2段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、フッ酸(HF)溶液で洗浄する第3段階;及び (S4)上記第3段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を、オゾン水を用いて洗浄する第4段階;を含んで行うことを特徴とするシリコンウエハーの洗浄方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/04 ,  C11D 7/18 ,  C11D 7/08

FI (4)：

H01L21/304 647Z ,  C11D7/04 ,  C11D7/18 ,  C11D7/08

F-Term (22)：

4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EA03 ,  4H003EA05 ,  4H003EA23 ,  4H003EA31 ,  4H003EE04 ,  5F157AA28 ,  5F157AA46 ,  5F157AC01 ,  5F157BC12 ,  5F157BC13 ,  5F157BC15 ,  5F157BC53 ,  5F157BC65 ,  5F157BD33 ,  5F157BE23 ,  5F157BE33 ,  5F157BE44 ,  5F157BE46 ,  5F157DA21 ,  5F157DB51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコンウエーハの清浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-068162   Applicant：株式会社ピュアレックス, 野村マイクロ・サイエンス株式会社, 株式会社東芝
• シリコンウエハの清浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-001131   Applicant：東芝セラミックス株式会社