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J-GLOBAL ID：200903028825436151

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

Inventor： 酒井 士郎 ,  タオ ワン
Applicant, Patent owner： 酒井 士郎
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000227963
Publication number (International publication number)：2001244207
Application date： Jun. 22, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。【解決手段】 基板10上にSiNバッファ体12を離散的に形成し、その上に低温でGaNバッファ層14、高温でGaN半導体層16を形成する。SiNバッファ体12を離散的に形成することで、低温バッファ層14の基板に依存した結晶成長を阻害し、GaNバッファ層16成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。

Claim (excerpt)：

基板上にバッファ層を低温で成長させ、さらに前記バッファ層上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板上に離散的にバッファ体を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AB04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062760   Applicant：日本電気株式会社
• GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-037577   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256088   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062760   Applicant：日本電気株式会社
• GaN系化合物半導体結晶の成長方法及び半導体基材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-037577   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256088   Applicant：株式会社東芝