窒化物系半導体素子、発光素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998256088
Publication number (International publication number)：2000021789
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥密度が低く、結晶性,電気的特性,光学的特性の良好なGaN系半導体層をサファイア基板上に形成することができ、GaN系半導体を用いた半導体素子の歩留まり,初期特性,信頼性の向上をはかる。【解決手段】 GaN系半導体を用いた半導体発光素子において、サファイア等の基板20上に開口部21aを有するSiO2 マスク21を形成した後、その上にMOCVD法等で、半導体デバイス形成のための各種窒化物半導体層を成長する。

Claim (excerpt)：

第1層と、前記第1層上に形成された複数の開口部を有するマスクと、前記マスク上に形成され、前記マスクの前記複数の開口部の隣接する2つのほぼ中央部において複数の転位が垂直方向に延在する貫通転位を有する第1の領域と、前記中央部以外であって前記転位から開放された第2の領域とを含む窒化物系化合物半導体層と、前記半導体層上に形成された所望の素子構造と、を具備することを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

F-Term (50)：

5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045AF20 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DB01 , 5F045DC51 , 5F045EB15 , 5F045EK03 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA55 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB14 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA16 , 5F073DA24 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

エピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-198305 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-027522 Applicant：松下電器産業株式会社
III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社

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