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J-GLOBAL ID：200903028933960754

窒化物単結晶の製造方法およびその製造装置

Inventor： 一ノ瀬 昇 ,  真田 和夫
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学 ,  株式会社フジクラ
Agent (4)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003078419
Publication number (International publication number)：2004284870
Application date： Mar. 20, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥がなく、良質で、大口径の単結晶が効率よく製造できるようにすることにある。【解決手段】昇華法により種結晶7上に窒化物単結晶を成長させる製造方法において、種結晶7の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶7に昇華ガスが接しないようにする。具体的には、種結晶7を覆うプランジャー10を設けて、種結晶7の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶7に昇華ガスが接しないようにし、結晶成長最適温度になった後はプランジャー10を退避させて種結晶に昇華ガスが接するようにする。あるいは、種結晶を覆うシャッターを設け、種結晶の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶に昇華ガスが接しないようにし、結晶成長最適温度になった後はシャッターを開いて種結晶に昇華ガスが接するようにする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

昇華法により種結晶上に窒化物単結晶を成長させる製造方法において、種結晶の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶に昇華ガスが接しないようにすることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。

IPC (1)：

C30B29/38

FI (1)：

C30B29/38 D

F-Term (14)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EE09 ,  4G077EG24 ,  4G077EG25 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  4G077SA06 ,  4G077SA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-244274   Applicant：株式会社デンソー