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J-GLOBAL ID：200903051194791304

単結晶の製造方法及び単結晶製造装置

Inventor：
内藤 正美

About 内藤 正美

, 
木藤 泰男

About 木藤 泰男

, 
北岡 英二

About 北岡 英二


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997244274
Publication number (International publication number)：1999079885
Application date： Sep. 09, 1997
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 Si/C変動による影響及びこれを起因とするSi液滴の生成、黒鉛微粒子や金属不純物の単結晶への混入を避け、欠陥の少ない高品質な単結晶を製造する。【解決手段】 原料2及び種結晶5が所定温度になり、かつ反応容器1内の圧力が所定圧力に達するまでの間は、種結晶5を遮蔽板6で覆って種結晶5から原料2の昇華ガスを遮断し、その後遮断板6を移動させて種結晶5に原料2の昇華ガスを供給する。つまり、Si/C比が変動し易い期間中、種結晶5を遮蔽板6で覆えば、この間に種結晶5上に品質の良くない単結晶が形成されることがない。さらに、種結晶5にSi液滴の生成されたり、黒鉛微粒子や金属不純物が混入したりすることがなくなるため、種結晶5を良質なまま維持することができる。このため、良質な種結晶5を用いて、高品質な単結晶を形成することができる。
Claim (excerpt)：
反応容器(1)内に配した原料(2)を加熱昇華させ、前記反応容器(1)内を所定圧力に保持しながら前記種結晶(5)上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法において、前記原料(2)及び前記種結晶(5)の温度が所定温度に達するまでの間、かつ前記反応容器(1)内の圧力が前記所定圧力に達するまでの間は、前記種結晶(5)を遮蔽板(6)で覆って前記種結晶(5)から前記原料(2)の昇華ガスを遮断し、その後前記遮蔽板(6)を移動させて前記種結晶(5)に前記原料(2)の昇華ガスを供給することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2)：
C30B 23/00 ,  C30B 29/36
FI (2)：
C30B 23/00 ,  C30B 29/36 A
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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