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J-GLOBAL ID：200903028957352410
相変化媒体メモリデバイスのための、熱損失が小さく接触面積が小さい複合電極
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 聡 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003097798
Publication number (International publication number)：2003332529
Application date： Apr. 01, 2003
Publication date： Nov. 21, 2003
Summary：
【要約】【課題】相変化媒体の状態を変更するために必要な電流の量を低減すること。【解決手段】相変化メモリテ ゙ハ ゙イス(10)のための、熱損失が小さく、接触面積が小さい電極構造が開示される。メモリテ ゙ハ ゙イス(10)は、基板(11)に接続され、且つ頂点(V)で終端する先細り形状を有する誘電体マント ゙レル(13)を含む複合電極(12)を含む。導電性材料(15)は、形状が一致するように誘電体マント ゙レル(13)を覆い、先端部で終端する。第1の誘電体層(17)は、先端部(T)に隣接する複合電極(12)の露出部分(E)を除いて、複合電極(12)の全てを覆う。相変化媒体(19)が露出部分(E)と接触する。露出部分(E)は、複合電極(12)の全表面積のほんのわずかな割合であり、そのため露出部分(E)と相変化媒体(19)との間の接触フットフ ゚リント(AC)は、相変化媒体(19)の表面積(AM)に対して小さく、相変化媒体(19)から複合電極(12)へのシ ゙ュール熱(jh)の伝達が低減される。
Claim (excerpt)：
相変化媒体メモリデバイス(10)のための、熱損失が小さく接触面積が小さい電極構造であって、基板(11)と、前記基板(11)に接続され、頂点(V)において終端する先細りの形状を有する誘電体マンドレル(13)と、形状が一致するように前記マンドレル(13)を覆い、先端部(T)において終端する導電性材料(15)とを含む複合電極(12)と、前記先端部(T)に隣接する前記複合電極(12)の露出部分(E)を除く全てを覆う第1の誘電体層(17)と、前記第1の誘電体層(17)および前記露出部分(E)に接続される相変化媒体(19)と、前記第1の誘電体層(17)および前記相変化媒体(19)に接続される第2の誘電体層(21)と、前記相変化媒体(19)と接触する電極(23)とからなる、熱損失が小さく接触面積が小さい電極構造。
IPC (2)：
H01L 27/10 451
, H01L 45/00
H01L 27/10 451
, H01L 45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083PR03
, 5F083PR40
