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J-GLOBAL ID:200903029110711445
高パワー短光パルス発生方法及び高パワー短光パルス発生装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006232123
Publication number (International publication number):2007110089
Application date: Aug. 29, 2006
Publication date: Apr. 26, 2007
Summary:
【課題】CPAにおける位相歪みを補正して短パルス化を図る高パワー短光パルス発生方法及び装置を提供すること。【解決手段】チャープ光パルスを出射するチャープ光パルス光源1と、該チャープ光パルス光源1から出射される該チャープ光パルスを増幅して増幅されたチャープ光パルスを出射する増幅器2と、該増幅器2から出射される該チャープ光パルスを圧縮して圧縮された短光パルスを出射する圧縮器3と、該圧縮器3で圧縮される前及び或いは後の光パルスの位相歪み補正する位相歪み補正手段4と、を有し、前記位相歪み補正手段4は、前記光パルスの時間幅が短くなるように位相歪みを補正することを特徴とする高パワー短光パルス発生装置。【選択図】図1
Claim (excerpt):
チャープ光パルスを増幅する増幅ステップと、
該増幅ステップで増幅されたチャープ光パルスを圧縮する圧縮ステップと、
該圧縮ステップで圧縮される前及び或いは後の光パルスの位相歪みを補正する補正ステップと、を有し、
前記補正ステップは、前記光パルスの時間幅が短くなるように位相歪みを補正することを特徴とする高パワー短光パルス発生方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (9):
5F172AE13
, 5F172AF03
, 5F172AM08
, 5F172DD03
, 5F172NN14
, 5F172NN17
, 5F172NR03
, 5F172NR28
, 5F172ZA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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高エネルギー超短パルスの発生方法と装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-100178
Applicant:イムラアメリカインコーポレイテッド
Cited by examiner (6)
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