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J-GLOBAL ID：200903029117357400

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 幡 俊雄 ,  伊藤 茂稔
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117948
Publication number (International publication number)：1999312840
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる半導体レーザ素子の素子寿命を長くし、さらに半導体レーザ素子の直列抵抗を低減することは、従来困難であった。【解決手段】 本発明によれば、窒化ガリウム系化合物半導体上に導電性選択成長マスクを形成し、導電性選択成長マスク上に少なくとも一対のクラッド層及び活性層を形成してなる窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子において、導電性選択成長マスクを電流通路として機能する素子構造とすることにより、閾値電流値の低減及び信頼性の優れた電流阻止型窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現できる。

Claim (excerpt)：

基板と、窒化ガリウム系化合物半導体からなるコンタクト層と、前記コンタクト層の上方に形成されたストライプ状の導電性選択成長マスクと、前記導電性選択成長マスク上に形成された少なくとも一対のクラッド層と、該クラッド層に挟まれた少なくとも一層の活性層とを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる積層体と、を含むことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-203057   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-031684   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-228027
  
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-077245   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (5)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-203057   Applicant：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-077245   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-031684   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平2-228027
  
• 特開平2-228027