n型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994227679
Publication number (International publication number)：1996070139
Application date： Sep. 22, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 MOVPE、MBE法等の気相成長法により、格子整合していない基板の表面にn型窒化物半導体を成長させる際に、n型窒化物半導体層の格子欠陥を少なくして成長させる方法を提供することにより、n型窒化物半導体層の表面に成長させる他の窒化物半導体の結晶性を向上させて、発光素子、受光素子等の効率を向上させる。【構成】 n型窒化物半導体層3'成長中に、そのn型窒化物半導体層3'と組成の異なる第二のn型窒化物半導体層33(InaAlbGa1-a-bN、0≦a、0≦b、a+b≦1)を少なくとも一層以上成長させるか、またはn型窒化物半導体層3'を少なくとも5μm以上の膜厚で成長させる。

Claim (excerpt)：

気相成長法により基板表面に直接、またはバッファ層を介してn型窒化ガリウム系化合物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)の結晶を成長させる方法において、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体層成長中に、そのn型窒化ガリウム系化合物半導体層と組成の異なる第二のn型窒化ガリウム系化合物半導体層(InaAlbGa1-a-bN、0≦a、0≦b、a+b≦1)を少なくとも一層以上成長させることを特徴とするn型窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135220 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭62-119940

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