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J-GLOBAL ID：200903029289996250

HDP-CVDを適用したバリヤ層の堆積

Inventor： ヒッケム ムサード ,  セオン-メー チョー ,  ダナ トリビューラ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000334853
Publication number (International publication number)：2001203201
Application date： Nov. 01, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 HDP-CVDを適用したバリヤ層の堆積すること。【解決手段】 炭化水素含有ガスと珪素含有ガスを含むガス状混合物を用い基板上にバリヤ層の様な膜を堆積させる方法。適切な各炭化水素含有ガスはメタン(CH4)のようなアルカン、エタン(C2H6)、ブタン(C3H8)、プロパン(C4H10)等を含む。適切な各珪素含有ガスはモノシラン(SiH4)のようなシランを含む。当方法は通常、基板処理チャンバへ適切なガス状混合物を供給するステップと、ガス状混合物からプラズマを発生するステップと、プラズマを用い基板上に膜を堆積するステップとから成る。好ましい実施例にあっては、膜は高密度プラズマ薬品蒸気堆積(HDP-CVD)システムで堆積させる。ガス状混合物は一般的にはアルカンのような珪素含有ガスと、シランのような炭化水素含有ガスを含む。本発明の方法の各実施例では約4.0又はそれ以下の総合誘電率を有する各スタック構造を集積できる。このような構造は4.5又はそれ以下の誘電率を有するバリヤ層を含めることができる。

Claim (excerpt)：

処理チャンバの内部に配した基板上に膜を堆積する方法であって、(a)珪素含有ガスと炭化水素含有ガスから成るガス状混合物をチャンバに流すステップと、(b)ガス状混合物からプラズマを発生し、プラズマを用いて基板上に膜を堆積するステップとを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/90 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-115162
  
• 炭化ケイ素の金属拡散障壁層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-012429   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-090638   Applicant：日本電気株式会社