半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999090638
Publication number (International publication number)：2000286252
Application date： Mar. 31, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】可動イオン耐性、重金属耐性、耐水性に優れ、かつステップカバレッジに優れた絶縁膜を提供する。【解決手段】シリコン基板101上に第1の絶縁膜102を形成し、かつ、その上に配線107を形成する(a)。基板に高周波電力を印加するバイアス系高密度プラズマCVD法により、配線間をシリコン酸化膜108で埋め込み、その上にシラン、メタン、アルゴンを原料としたアモルファスSiC膜109を形成する(b)。その後ポリイミド膜110を形成し、開口部112を形成する(c)。

Claim (excerpt)：

(1)半導体基板表面上に第1の絶縁膜を介して複数の配線を形成する工程と、(2)前記第1の絶縁膜および前記配線を覆う、アモルファスSiC膜を含む第2の絶縁膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記アモルファスSiC膜を基板に高周波電力を印加するバイアス系高密度プラズマCVD法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/314 , H01L 21/31 , H01L 21/469 , H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/314 A , H01L 21/31 C , H01L 21/469 , H01L 21/90 K

F-Term (100)：

5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033MM01 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP15 , 5F033PP20 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR11 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033SS19 , 5F033TT01 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033XX00 , 5F033XX02 , 5F033XX28 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045AB06 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AB35 , 5F045AB36 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AD07 , 5F045AE15 , 5F045AE19 , 5F045AF08 , 5F045AF10 , 5F045BB14 , 5F045BB17 , 5F045CB04 , 5F045DC51 , 5F045DC52 , 5F045DC61 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EH01 , 5F045EH02 , 5F045EH11 , 5F045EH16 , 5F045EH17 , 5F045GH03 , 5F058AD02 , 5F058AD04 , 5F058AD05 , 5F058AD08 , 5F058AD10 , 5F058AD11 , 5F058AH03 , 5F058BA05 , 5F058BA07 , 5F058BD01 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BD07 , 5F058BD09 , 5F058BD10 , 5F058BD15 , 5F058BD19 , 5F058BF01 , 5F058BF02 , 5F058BF07 , 5F058BF09 , 5F058BF21 , 5F058BF22 , 5F058BF23 , 5F058BF26 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF33 , 5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭59-119733
硬質セラミック材料等を用いた不活性化方法及び構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-052145 Applicant：ラムトロンインターナショナルコーポレーション
特開平1-115162

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