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J-GLOBAL ID：200903029319115165

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

Inventor：
水野 謙和

About 水野 謙和

, 
前田 喜世彦

About 前田 喜世彦


Applicant, Patent owner：
株式会社日立国際電気

About 株式会社日立国際電気


Agent (1)： 宮本 治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000037120
Publication number (International publication number)：2001230248
Application date： Feb. 15, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：
【要約】【課題】ビス ターシャル ブチル アミノ シラン(BTBAS)とNH3とを原料ガスとして用いて窒化シリコン膜を成膜する際や、BTBASとNH3とN2Oとを原料ガスとして用いて酸化窒化シリコン膜を形成する際に、成膜される膜の膜厚の基板面内均一性を向上させる。【解決手段】複数の半導体ウェーハ16を積層して収容する石英インナーチューブ12内に、BTBASとNH3とを原料ガスとしてインナーチューブ12内に流して熱CVD法により半導体ウェーハ16上に窒化シリコン膜を成膜する際に、または、BTBASとNH3とN2Oとを原料ガスとしてインナーチューブ12内に流して熱CVD法により半導体ウェーハ16上に酸化窒化シリコン膜を成膜する際に、隣接する半導体ウェーハ16間の距離aと半導体ウェーハ16の端部と石英インナーチューブ12の内壁との間の距離bとをほぼ等しくして成膜する。
Claim (excerpt)：
複数の基板を積層して収容する反応管内に、ビス ターシャル ブチル アミノ シランとNH3とを原料ガスとして前記反応管内に流して熱CVD法により前記基板上に窒化シリコン膜を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法であって、隣接する前記基板間の距離aと前記基板の端部と前記反応管内壁との間の距離bとをほぼ等しくして前記基板上に前記窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C
F-Term (15)：
5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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