ナノ構造体とその製造方法、電子放出素子及びカ-ボンナノチュ-ブデバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999047540
Publication number (International publication number)：2000031462
Application date： Feb. 25, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体、貴金属及びカーボンから選ばれる少なくとも1つから選ばれる基板上に、形状の均一性に優れた貫通ナノホールを有する陽極酸化膜を具備するナノ構造体を提供する。【解決手段】半導体、貴金属及びカーボンから選ばれる少なくとも1つを含む表面を有する基板11上にナノホール14を有する陽極酸化膜13を備え、該ナノホール14は該陽極酸化膜表面から該基板表面にまで貫通し、且つ該陽極酸化膜表面において第1の直径を有し、該基板表面において第2の直径を有し、更に(i)該陽極酸化膜表面から該基板表面に至るまでの間に該第1の直径及び該第2の直径よりも小さな直径の部位16を有するか、または(ii)該第2の直径が該第1の直径よりも大きいナノ構造体。

Claim (excerpt)：

半導体、貴金属、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及びカーボンから選ばれる少なくとも1つを含む表面を有する基板上にナノホールを有する陽極酸化膜を備え、該ナノホールは該陽極酸化膜表面から該基板表面にまで貫通し、且つ該陽極酸化膜表面において第1の直径を有し、該基板表面において第2の直径を有し、更に(i)該陽極酸化膜表面から該基板表面に至るまでの間に該第1の直径及び該第2の直径よりも小さな直径の部位を有するか、または(ii)該第2の直径が該第1の直径よりも大きいことを特徴とするナノ構造体。

IPC (7)：

H01L 29/06 , C25D 11/04 , G01N 27/414 , H01J 1/304 , H01J 9/02 , H01L 21/3063 , C01B 31/02 101

FI (7)：

H01L 29/06 , C25D 11/04 E , H01J 9/02 B , C01B 31/02 101 F , G01N 27/30 301 W , H01J 1/30 F , H01L 21/306 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-057690
特開昭63-187415
アルミニウム又はその合金の表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-304563 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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