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J-GLOBAL ID:200903002573369538
針状結晶構造とその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大岩 増雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994061903
Publication number (International publication number):1995272651
Application date: Mar. 31, 1994
Publication date: Oct. 20, 1995
Summary:
【要約】【目的】 精密計測機器用探針、マイクロマシーン、真空マイクロエレクトロニクス、電子顕微鏡等に用いられる微小径の針状結晶を微細パターンの形成技術を用いることなく形成する。【構成】 シリコン基板1上に形成した陽極酸化膜3中の空孔部5の底部のバリア層4を除去し、その底部に金6の層を形成してVLS法によりシリコンの針状結晶8を成長させる。その後、陽極酸化膜3を除去し所望の形状に分割する。【効果】 0.01μm〜0.02μm径の針状結晶が製造できる。
Claim (excerpt):
シリコン基板の主面上にアルミニウムまたはアルミニウム合金膜を形成する工程、該アルミニウムまたはアルミニウム合金膜を陽極酸化膜に変換する工程、該陽極酸化膜の空孔部の底面に存在するバリア層を除去して該シリコン基板の表面を露出する工程、該空孔部内の露出したシリコン基板上にシリコンと共晶合金が形成可能な金属層を形成する工程、該空孔部の金属層形成部にVLS(Vapor Liquid Solid)法によりシリコンの針状結晶を成長させる工程を含むことを特徴とする針状結晶構造の製造方法。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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結晶ホイスカの制御成長方法と、該方法の尖頭超小型カソード製造への応用
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-053380
Applicant:トムソン-セーエスエフ
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電子放出素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-015628
Applicant:株式会社リコー
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電子放出素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-015629
Applicant:株式会社リコー
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深孔探針の製造方法及びそれを用いた解析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-045154
Applicant:株式会社日立製作所
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走査型プローブ顕微鏡とその探針製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-017455
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平3-262911
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量子細線装置及び製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-323954
Applicant:電気化学工業株式会社
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