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J-GLOBAL ID：200903029393085790

太陽電池用基板および薄膜太陽電池

Inventor： 和田 健司 ,  奈須野 善之 ,  近藤 道雄 ,  松田 彰久
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  シャープ株式会社 ,  松田 彰久 ,  近藤 道雄
Agent (2)： 原 謙三 ,  原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000333718
Publication number (International publication number)：2002141525
Application date： Oct. 31, 2000
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶質シリコン膜中の欠陥密度低減と、太陽電池用基板の凹凸表面層による光閉込効果とを両立させることが可能な太陽電池用基板および薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 薄膜太陽電池20は、ガラス基板11a、凹凸表面層11b、p型結晶質シリコン層12、i型結晶質シリコン層13、n型シリコン層14、裏面反射層15、裏面電極16が、この順番で積層されて構成されている。この凹凸表面層11bの表面の凹凸を表す指標として、凹凸表面層11bの凹凸の高さの二乗平均値を使用すると、本実施形態の凹凸表面層11bの凹凸の二乗平均値は、25〜600nmの範囲に設定されており、かつ凹凸の平均線に対する凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが、0.07〜0.20の範囲に設定されている。

Claim (excerpt)：

光電変換層に接する表面が凹凸化されており、該凹凸の形成されている面の反対側から光が入射する太陽電池用基板であって、上記凹凸の高さは、その二乗平均値が25nm〜600nmの範囲になるように設定されていると共に、上記凹凸の平均線に対する該凹凸表面の傾斜角をΘとしたときのtanΘが0.07〜0.20の範囲に設定されていることを特徴とする太陽電池用基板。

F-Term (9)：

5F051AA02 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03 ,  5F051GA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリコン系薄膜光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-151847   Applicant：鐘淵化学工業株式会社