磁気検出素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002329144
Publication number (International publication number)：2003338644
Application date： Nov. 13, 2002
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】フリー磁性層の単磁区化及び磁化方向の制御を適切かつ容易に行ない、さらなる狭トラック化を促進できる磁気検出素子を提供する。【解決手段】第2反強磁性層23と強磁性層24との間の交換結合磁界によって、強磁性層24の磁化方向が固定され、非磁性層25を介した強磁性層24とフリー磁性層26のRKKY相互作用によって、フリー磁性層26の磁化方向が固定磁性層28の磁化方向と交叉する方向に向けられている。フリー磁性層26の磁化方向の制御は、第2反強磁性層と強磁性層24間の交換結合磁界の大きさと、強磁性層24とフリー磁性層26間のRKKY相互作用の大きさの2段階で調節されることになり、細かな制御を容易に行うことができる。

Claim (excerpt)：

第1反強磁性層と、この第1反強磁性層によって磁化方向が固定された固定磁性層、非磁性材料層、及び外部磁界により磁化方向が変化するフリー磁性層を有する多層膜を有する磁気検出素子において、前記固定磁性層及び前記フリー磁性層は強磁性材料からなる強磁性材料層を有し、前記フリー磁性層の少なくともトラック幅領域の上層または下層に、非磁性層を介して強磁性層及び第2反強磁性層が積層されており、前記第2反強磁性層との交換結合磁界により前記強磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ向けられていることを特徴とする磁気検出素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10 , H01L 43/12

FI (7)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 M , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10 , H01L 43/12

F-Term (8)：

5D034BA03 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AA09 , 5E049AC05 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

USP6,023,395

Cited by examiner (5)

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