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J-GLOBAL ID：200903029434987397

半導体レーザー用単結晶ウェハ

Inventor：
井谷 賢哉

About 井谷 賢哉


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 油井 透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005028132
Publication number (International publication number)：2006216788
Application date： Feb. 03, 2005
Publication date： Aug. 17, 2006
Summary：
【課題】 光学式のアライメント方式により劈開面を基準としてマスクパターン合わせをする際の精度の向上およびプロセス歩留りの向上を実現できる半導体レーザー用単結晶ウェハを提供することにある。【解決手段】 劈開によりオリエンテーションフラットを形成したウェハ5の表面を、硬度の高い研磨布8で且つ最適なウェハ押し付け圧力及び研磨レートの下で、ウェハ表面の中心部と外周部の研磨レートが同一になるように研磨することで、劈開面4における稜線部のダレを小さく40μm以下にしたオリエンテーションフラット部を備えた半導体レーザー用単結晶ウェハとする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
劈開によりオリエンテーションフラットを形成したウェハの表面を、硬度の高い研磨布で且つ最適なウェハ押し付け圧力及び研磨レートの下で、ウェハ表面の中心部と外周部の研磨レートが同一になるように研磨することで、劈開面における稜線部のダレを小さくしたオリエンテーションフラット部を備えていることを特徴とする半導体レーザー用単結晶ウェハ。
IPC (3)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/02 ,  H01S 5/30
FI (5)：
H01L21/304 621E ,  H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622R ,  H01L21/02 B ,  H01S5/30
F-Term (3)：
5F173AQ01 ,  5F173AQ11 ,  5F173AR92
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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