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J-GLOBAL ID：200903072169207360

半導体ウエハーおよびその製造方法

Inventor： 栗田 英樹 ,  鈴木 健二 ,  篠原 順一
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 小越 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001105397
Publication number (International publication number)：2001351836
Application date： Aug. 19, 1998
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 光学的な角度合わせが正確にできる半導体ウエハーおよびそれを容易に製造する方法を提供すること。【解決手段】 オリエンテーションフラット部を除く外周側面部については面取り加工を施し表裏面と滑らかな曲線で連続させ、オリエンテーションフラット部には面取りを施さず側面のみを機械加工することにより表裏面と直交したオリエンテーションフラット部側面を有するようにする。

Claim (excerpt)：

単結晶インゴットの円筒研削工程によるオリエンテーションフラットの形成後、オリエンテーションフラットの結晶方位の誤差分を測定し、前記誤差分を補正したオリエンテーションフラット部を備えていることを特徴とする半導体ウエハー。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体インゴットの加工方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-102498   Applicant：株式会社東芝
• 半導体ウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-191496   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平2-076226
  

Cited by examiner (4)

• 特開平2-076226
  
• 半導体ウェハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-191496   Applicant：日立電線株式会社
• 半導体インゴットの加工方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-102498   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-076226