溶融シリカ粒子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000307695
Publication number (International publication number)：2002114510
Application date： Oct. 06, 2000
Publication date： Apr. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】比較的微細な溶融シリカ粒子を効率よく且つ安定して製造することが可能な溶融シリカ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】ケイ素化合物をガス状で供給する供給口の外周に水素及び/又は炭化水素並びに酸素をそれぞれ供給して外周炎を形成することにより、該ケイ素化合物をシリカ微粒子に変換し、更に、上記外周炎中で該シリカ微粒子を相互に融着せしめて平均粒子径を0.05〜5μmに成長させ、次いで、溶融したシリカ粒子を分散した状態で冷却する。

Claim (excerpt)：

ケイ素化合物をガス状で供給する供給口の外周に水素及び/又は炭化水素並びに酸素をそれぞれ供給して外周炎を形成することにより、該ケイ素化合物をシリカ微粒子に変換し、更に、上記外周炎中で該シリカ微粒子を相互に融着せしめて平均粒子径を0.05〜5μmに成長させ、次いで、溶融したシリカ粒子を分散した状態で冷却することを特徴とする溶融シリカ粒子の製造方法。

IPC (2)：

C01B 33/18 , C03B 20/00

FI (2)：

C01B 33/18 Z , C03B 20/00 D

F-Term (17)：

4G014AH12 , 4G014AH16 , 4G072AA25 , 4G072BB05 , 4G072DD03 , 4G072DD05 , 4G072GG03 , 4G072HH03 , 4G072HH30 , 4G072JJ01 , 4G072JJ03 , 4G072JJ47 , 4G072LL01 , 4G072LL15 , 4G072MM38 , 4G072TT01 , 4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

微細シリカの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-271722 Applicant：信越化学工業株式会社
静電荷像現像剤
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-058285 Applicant：信越化学工業株式会社
不純物酸素および一酸化炭素のうちの少なくとも1種について実質的に精製された流れの製造方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-170361 Applicant：レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

The effect of precursor in flame synthesis of SiO2

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