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J-GLOBAL ID:200903078320745653

溶液処理された素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001547677
Publication number (International publication number):2003518754
Application date: Dec. 21, 2000
Publication date: Jun. 10, 2003
Summary:
【要約】トランジスタを形成する方法であって、トランジスタの第1の層を形成するために、第1の溶剤中の第1の物質を析出させ、次に、第1の溶剤中に溶融しうる第1の物質が残っている間に、第1の物質の上に第2の溶剤中の第2の物質を析出させることにより、トランジスタの第2の層を形成する。第1の物質は、第2の溶剤に対しては不溶解性である。
Claim (excerpt):
トランジスタの形成方法であって、 トランジスタの第1層を形成するために、第1溶剤中の溶液から第1材料から析出し、続いて、 第1材料が該第1溶剤中に溶解可能である一方で、該第1材料上に第2材料を析出することにより、トランジスタの第2層を形成し、該第2材料が、第1材料が実質的に溶解不能な第2溶剤中の溶液からのものである方法。
IPC (4):
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00
FI (4):
H01L 21/28 301 Z ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 627 C
F-Term (18):
4M104AA09 ,  4M104DD51 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE41 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (12)
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