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J-GLOBAL ID：200903029522895761

電界効果型半導体素子

Inventor： 澤田 稔 ,  松下 重治 ,  寺田 聡 ,  藤井 栄美 ,  原田 八十雄
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994037021
Publication number (International publication number)：1995249780
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高出力時において低歪のTMT素子を提供することを目的とする。【構成】 第2の半導体層3は電子親和力が第1の半導体層2より大きく、第3の半導体層4は禁止帯幅が第2の半導体層3から第4の半導体層5方向にグレーディッドに減少し且つ第2の半導体層3との界面での電子親和力が第2の半導体層3の電子親和力以下、第4の半導体層5との界面での電子親和力が第4の半導体層5の電子親和力以上であり、第5の半導体層6は第4の半導体層5との界面での電子親和力が第4の半導体層5の電子親和力以下であって、第4の半導体層5中には、第4の半導体層5より電子親和力が大きく且つ第4の半導体層5より禁止帯幅が小さい半導体層5bを少なくとも1つ有する。

Claim (excerpt)：

低雑音用走行層と高出力用走行層とを備えた電界効果型半導体素子において、前記高出力用走行層中に該層より電子親和力が大きく且つ該層より禁止帯幅が小さい該層と同じ導電型又はアンドープの半導体層を少なくとも1つ有することを特徴とする電界効果型半導体素子。

IPC (4)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (3)：

H01L 29/80 A ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-028301   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-161299   Applicant：三洋電機株式会社