半導体製造装置及び薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137895
Publication number (International publication number)：1997320961
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】レーザ照射工程を含んで薄膜トランジスタを形成する製造技術において、高性能、多機能な半導体製造装置と薄膜トランジスタの製造方法を得る。【解決手段】ガラス基板202上にシリコン薄膜201を形成し、このシリコン薄膜にレーザ203を照射して再結晶化シリコン膜を得るとともに、この再結晶化シリコン膜に水素プラズマ処理を行ってシリコンの未結合手を終端し、さらに再結晶化シリコン膜上に二酸化シリコン膜205を成膜する工程を含んでおり、少なくともこれらの工程を大気に晒することなく、かつ処理温度を350°C以下で行う。

Claim (excerpt)：

少なくとも、シリコン薄膜形成室、絶縁体薄膜形成室、レーザ照射室、及び水素アニール室とを備え、半導体装置が形成される基板がこれらの処理室間を大気に晒されることなく搬送されうる構成としたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/68 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/68 A , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-081424
レーザーアニール方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-152477 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-051147

Show all

Return to Previous Page