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J-GLOBAL ID:200903029694562730

フォトマスクおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩佐 義幸
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993033037
Publication number (International publication number):1994250375
Application date: Feb. 23, 1993
Publication date: Sep. 09, 1994
Summary:
【要約】【目的】 孤立パターンに対して解像度を向上させる効果を持ち、作成が簡便かつ耐酸性,耐光性に優れたフォトマスクおよびその製造方法を提供する。【構成】 CrとSiO2 でできた複合ターゲットをガラス基板1上に酸素を混合したガスを用いてスパッタする。するとガラス基板上に酸化クロムと酸化ケイ素の混合物よりなる薄膜2が形成される。複合ターゲットにおけるCrとSiO2 の面積比を変えることにより薄膜の組成が変化し、これにより薄膜の透過率を調節することができる。
Claim (excerpt):
透明基板あるいはエッチングストッパ膜が付着した透明基板上に被露光パターンを半透明な位相部材を用いて設けたフォトマスクにおいて、前記位相部材が酸化クロムと酸化ケイ素の混合物より構成されることを特徴とするフォトマスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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