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J-GLOBAL ID：200903029861828593

窒化珪素膜の成膜方法及びこの方法を使用する半導体装置の製造方法

Inventor： 星 岳志 ,  斎藤 豪 ,  木村 孝子 ,  クリスチャン・デュサラ ,  柳田 和孝
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004338459
Publication number (International publication number)：2005210076
Application date： Nov. 24, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】 LPCVD法による低温窒化珪素膜の膜質を改善させる。【解決手段】 LPCVD装置10において、インジェクター11からシリコン原料(SiH2Cl2,SiCl4,Si2Cl6等)を供給するとともに、インジェクター12から窒素原料であるアンモニア(NH3)とモノメチルアミン(CH3NH2)との混合ガスを供給し、ボート13上に設置されたシリコンウェーハ14に窒化珪素膜を形成する。成膜原料に、モノメチルアミンを添加することで、低温(600°C〜450°C)でもリーク特性を改善させ、膜質を改善することが可能になる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン原料として原料中に少なくとも珪素を含むガス、窒素原料として原料中に少なくとも窒素を含むガスを使用し、さらに、原料中に少なくとも炭素-水素結合を含むガスを添加して使用することを特徴とする窒化珪素膜の成膜方法。

IPC (1)：

H01L21/318

FI (1)：

H01L21/318 B

F-Term (6)：

5F058BA05 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-189434   Applicant：東京エレクトロン株式会社

Cited by examiner (3)

• 膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238565   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-062837   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-065844   Applicant：松下電器産業株式会社