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J-GLOBAL ID：200903041591954745

半導体装置の製造方法および半導体装置

Inventor：
長谷川 利昭

About 長谷川 利昭


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001062837
Publication number (International publication number)：2002270606
Application date： Mar. 07, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：
【要約】【課題】 シリコン酸化膜に対するエッチング選択比の高い絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明は、シリコン炭化窒化膜(SiCN膜12a)を用いる半導体装置の製造方法において、SiCN膜12aを、少なくともSi(CH3)nH(4-n)を含む反応ガスによって化学気相成長させる方法である。また、本発明は、絶縁膜としてSiCN膜12aを用いる半導体装置1でもある。
Claim (excerpt)：
シリコン炭化窒化膜を用いる半導体装置の製造方法において、前記シリコン炭化窒化膜を、少なくともSi(CH3)nH(4-n)を含む反応ガスによって化学気相成長させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78
FI (5)：
H01L 21/318 B ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 102 D ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (46)：
4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH13 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033XX02 ,  5F048BF15 ,  5F048DA24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BF31 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF55 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ07 ,  5F140AA39 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG52 ,  5F140BG58 ,  5F140BK27 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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