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J-GLOBAL ID：200903029882278992

半導体装置の製造方法

Inventor： 矢 野 博 之 ,  岡 野 晴 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256889
Publication number (International publication number)：1994112175
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 被研磨物との研磨の選択比が大きく、しかも研磨剤の種類によらず使用可能なストッパーを用いることにより、研磨量の制御を容易にすることができる半導体の製造方法を提供する。【構成】 半導体装置の製造方法は、半導体基板(1)に形成された被加工層(3、6)を研磨する半導体装置の製造方法において、被加工層(6)を研磨する工程(図1(h))の前に、研磨のストッパーとして炭素膜を形成する工程(図1(b))を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成された被加工層を研磨する半導体装置の製造方法において、前記被加工層を研磨する工程の前に、研磨のストッパーとして炭素膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224176   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置を平坦化する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-275904   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション