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J-GLOBAL ID：200903029907444914

エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法

Inventor：
橋本 充

About 橋本 充


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197887
Publication number (International publication number)：2003017469
Application date： Jun. 29, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：
【要約】【課題】 エッチングと同一の容器を用いてアッシングを行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチング容器をそのままアッシングに使用するとアッシング後に残渣が残る。【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置1は、チャンバー2内の上部電極11と、この下方に対向して配設され且つウエハWを載置するサセプタ4と、これら両者11、4それぞれに第1、第2の高周波電力を印加する第1、第2の高周波電源20、22と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供給源16とを備え、アッシング時またはエッチング時には第1の高周波電源20から上部電極11に高周波電力を印加すると共に第2の高周波電源22からサセプタ4に高周波電力を印加する。
Claim (excerpt)：
容器内の上部に配設された上部電極と、この上部電極の下方にこれと対向して配設され且つ被処理体を載置する下部電極と、これら両電極それぞれに第1、第2の高周波電力を印加する第1、第2の高周波電源と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給するガス供給手段とを備え、アッシング時には第1の高周波電源から上記上部電極に高周波電力を印加すると共に第2の高周波電源から上記下部電極に高周波電力を印加することを特徴とするエッチング兼アッシング装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L 21/302 C ,  H01L 21/30 572 A
F-Term (19)：
5F004AA09 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BC04 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F046MA12 ,  5F046MA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • プラズマ処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-276912   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • プラズマ処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-296693   Applicant：東京エレクトロン株式会社
  • エッチング方法およびプラズマ処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-241427   Applicant：東京エレクトロン株式会社

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