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J-GLOBAL ID：200903070794967885

エッチング方法およびプラズマ処理方法

Inventor： 萩原 正明 ,  稲沢 剛一郎 ,  内藤 和香子
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999241427
Publication number (International publication number)：2001068454
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Cu層が酸化され難いSiNx層のエッチング方法を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置100の処理室102内に,CH2F2とO2とArから成る処理ガスを導入する。処理ガスの流量比は,CH2F2/O2/Ar=20sccm/10sccm/100sccmに設定する。また,処理室102内の圧力は,50mTorrに設定する。ウェハWが載置された下部電極108に,13.56MHzで500Wの高周波電力を印加する。処理ガスがプラズマ化され,Cu層204上に形成されたSiNx層206がエッチングされる。露出したCu層204は,ほとんど酸化されず,またCやFが打ち込まれない。

Claim (excerpt)：

処理室内に導入された処理ガスをプラズマ化し,前記処理室内に配された被処理体に形成されたCu層上のSiNx層をエッチングするエッチング方法において,前記処理ガスは,CとHとFから構成されるガスと,O2とを含むことを特徴とする,エッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 F ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 N

F-Term (28)：

5F004AA08 ,  5F004BA07 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BD01 ,  5F004CA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F004DB13 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 異方性ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-009096   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-172056   Applicant：日本電気株式会社
• プラズマエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-321747   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置の配線形成方法及びそのための灰化装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-286497   Applicant：三菱電機株式会社