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J-GLOBAL ID：200903029944109548

半導体装置

Inventor：
森口 浩治

About 森口 浩治


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 松山 允之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001274504
Publication number (International publication number)：2003086737
Application date： Sep. 11, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：
【要約】【課題】 熱の放散性に優れ、且つ小型、薄型で、信頼性にも優れた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 実装基板に接合される実装面を有する表面実装型の半導体装置であって、リードフレーム(4)と、半導体チップ(2)と、前記半導体チップを覆うように設けられた樹脂(12)と、を備え、前記実装面には、半導体チップから前記リードフレームを介して引き出された電極端子の先端面と、前記半導体チップに設けられた2以上の電極(20A、20B)の表面と、が略平面状に露出してなることを特徴とする半導体装置を提供する。
Claim (excerpt)：
実装基板に接合される実装面を有する表面実装型の半導体装置であって、裏面と表面とを有し、動作時においては前記裏面よりも前記表面の近くに発熱部が形成され、且つ前記表面に2以上の電極が設けられた半導体チップと、前記半導体チップを覆うように設けられた樹脂と、を備え、前記半導体チップの前記裏面にから引き出された電極端子の先端面と、前記2以上の電極の表面と、が前記実装面において略平面状に露出し、前記実装面においてこれら先端面及び電極の表面の周囲は前記樹脂により取り囲まれてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/28
FI (2)：
H01L 23/28 A ,  H01L 23/36 A
F-Term (10)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109DB03 ,  4M109FA01 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB05 ,  5F036BB16 ,  5F036BE06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-019431   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
  • 低電力実装設計
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-221075   Applicant：ハリスコーポレイション

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