半導体装置

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999019431
Publication number (International publication number)：2000223634
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体パッケージの実装抵抗を低減する。【解決手段】第1の金属部材(リード端子5,6)が、第1の貴金属を含む第1の金属体(Auバンプ8)を介して、半導体素子(半導体チップ1)の第1の電極(ソース電極2)と接続され、かつ、第2の金属部材(ダイ端子7)が、第2の貴金属を含む第2の金属体(貴金属メッキ14及びAgメッキ15)を介して、第2の電極(裏面電極4)と接続される。【効果】1mΩ以下というような大幅な実装抵抗低減が可能になる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられる第1の電極と、前記半導体基板の裏面に設けられる第2の電極とを有する半導体素子と、前記第1の電極に接続される第1の金属部材と、前記第2の電極に接続される第2の金属部材と、を備え、前記第1の電極と前記第1の金属部材とが第1の貴金属を含む第1の金属体を介して接続され、前記第2の電極と前記第2の金属部材とが第2の貴金属を含む第2の金属体を介して接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/48 , H01L 23/36

FI (2)：

H01L 23/48 F , H01L 23/36

F-Term (6)：

5F036AA01 , 5F036BB08 , 5F036BB21 , 5F036BC05 , 5F036BD01 , 5F036BE01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-221113 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149780 Applicant：ローム株式会社
電子部品およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-280433 Applicant：ローム株式会社

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