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J-GLOBAL ID：200903029960992370

プラズマ処理装置

Inventor： 馬渕 博嗣 ,  露口 潤弥 ,  片山 克生
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 森 道雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997018912
Publication number (International publication number)：1998214823
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【目的】試料と対面する領域のプラズマ密度を高めることにより、試料のプラズマ処理速度を向上させ、また微細なホールパターンのエッチングにおいてはパターンの抜け性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【構成】マイクロ波導波路用の誘電体層(21)、誘電体層(21)に対向して設けられているマイクロ波導入窓(14)、およびこのマイクロ波導入窓(14)に対面するように内部に試料台(15)が配置されている反応容器(11)を備えるプラズマ処理装置であって、マイクロ波導入窓(14)の試料台(15)と対面する領域に凹部(14a)が設けられているプラズマ処理装置。

Claim (excerpt)：

マイクロ波導波路用の誘電体層、誘電体層に対向して設けられているマイクロ波導入窓、およびこのマイクロ波導入窓に対面するように内部に試料台が配置されている反応容器を備えるプラズマ処理装置であって、マイクロ波導入窓の試料台と対面する領域の厚みがその外側に比べて薄いことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ波プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-132666   Applicant：住友金属工業株式会社, ラムリサーチコーポレーション
• プラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-039498   Applicant：住友金属工業株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-031666   Applicant：株式会社日立製作所, 日立笠戸エンジニアリング株式会社