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J-GLOBAL ID：200903029982781276

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
柳田 敏治

About 柳田 敏治


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999086152
Publication number (International publication number)：2000277689
Application date： Mar. 29, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体デバイス部品の超薄型積層3次元実装を高い信頼性と高機能で実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、LSIが形成された半導体デバイスウェハを準備し、前記半導体デバイスウェハを裏面から加工することにより、該半導体デバイスウェハの厚さを200μm以下にし、前記半導体デバイスウェハに貫通孔を形成し、前記貫通孔の内に配線プラグ23を形成し、前記半導体デバイスウェハをダイシングすることにより、配線プラグ23を備えた半導体チップ7に分割し、プリント配線基板25上に、配線プラグ23と接続するバンプ10を介して複数の半導体チップ7を実装するものである。
Claim (excerpt)：
LSIが形成された半導体デバイスウェハを準備する工程と、前記半導体デバイスウェハを裏面から加工することにより、該半導体デバイスウェハの厚さを200μm以下にする工程と、前記半導体デバイスウェハに貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内に配線プラグを形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 27/00 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4)：
H01L 27/00 301 B ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/92 602 A ,  H01L 25/08 B
F-Term (19)：
5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM30 ,  5F033NN40 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR21 ,  5F033SS22 ,  5F033TT07 ,  5F033VV10 ,  5F033WW02 ,  5F033XX01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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