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J-GLOBAL ID：200903029987486353

発光ダイオードの製造方法

Inventor：
倉橋 孝尚

About 倉橋 孝尚


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998028784
Publication number (International publication number)：1999233820
Application date： Feb. 10, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：
【要約】【課題】 表面での全反射、表面電極直下の無効発光の抑制がともにでき、かつ製造工程を簡略化できる高効率の発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】 この発明の発光ダイオードの製造方法は、n型GaAs基板が(100)面から所定角度θだけ傾斜しているときに、表面電極11を、層厚dで形成した電流拡散層10を反映した表面形状部10aの位置から、表面形状部10aが電流阻止層9から位置ずれしている方向E1と逆の方向F1に、略(d/tanθ)だけ位置ずれさせて形成する。これにより、電流阻止層9の直上に正確に表面電極11を形成できる。
Claim (excerpt)：
(100)面から所定角度θだけ傾斜した第1導電型の半導体基板上に、単層あるいは複数層からなる発光層を形成し、この発光層の上に第1導電型の電流阻止層を形成する電流阻止層形成工程と、上記電流阻止層の一部を除去する電流阻止層除去工程と、上記電流阻止層および発光層の上に、第2導電型のAlxGayIn1-x-yP(0≦x≦1、0≦y≦1)電流拡散層を所定の層厚dで形成する電流拡散層形成工程と、表面電極を、上記電流拡散層のうち上記発光層上の上記電流阻止層の形状を反映した表面形状部の位置から、上記半導体基板に垂直な面内で、基板表面の法線ベクトルが[100]方向から傾斜した方向から上記半導体基板表面に平行になる方向に所定角度θだけ回転させた方向と逆の方向に、0.5×(d/tanθ)乃至1.5×(d/tanθ)だけ位置ずれさせて、上記電流拡散層上に形成する表面電極形成工程とを備えたことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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