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J-GLOBAL ID：200903030051509430

単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス

Inventor：
福山 博之

About 福山 博之

, 
中尾 航

About 中尾 航

, 
永田 和宏

About 永田 和宏


Applicant, Patent owner：
財団法人理工学振興会

About 財団法人理工学振興会


Agent (1)： 大島 正孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003068361
Publication number (International publication number)：2004137142
Application date： Mar. 13, 2003
Publication date： May. 13, 2004
Summary：
【課題】転位密度が小さく、格子不整合が少なく、結晶性が優れており、その膜上に発光効率が優れたIII族窒化物膜を形成することができ、そしてIII族窒化物膜用下地基板、発光素子並びに表面弾性波デバイスに用いられる単結晶窒化アルミニウム膜を提供すること。【解決手段】サファイア基板の如き単結晶α-Al2O3基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が108個/cm2以下である単結晶窒化アルミニウム積層基板。カーボン、窒素および一酸化炭素の存在下に、基板を加熱処理することにより窒化して上記単結晶窒化アルミニウム膜並びに単結晶窒化アルミニウム積層基板が形成される。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
単結晶α-Al2O3基板上に、酸窒化アルミニウム層を介して最外層に単結晶窒化アルミニウム膜が積層されそして単結晶窒化アルミニウム内の転位密度が108個/cm2以下であることを特徴とする単結晶窒化アルミニウム積層基板。
IPC (4)：
C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (4)：
C30B29/38 C ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (24)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA73 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AC00 ,  5F045AC15 ,  5F045AD18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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