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J-GLOBAL ID：200903096128312598

エピタキシャル下地基板及びエピタキシャル基板

Inventor： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  小田 修 ,  中村 幸則
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001387772
Publication number (International publication number)：2002274996
Application date： Dec. 20, 2001
Publication date： Sep. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】反り量が抑制された新規なエピタキシャル基板を得るための、エピタキシャル下地基板を提供するとともに、このエピタキシャル下地基板を利用して得たエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】サファイア基板などから構成される基板1上に、らせん転位密度が1×108/cm2以下の、少なくともAlを含有するIII族窒化物緩衝膜2を形成する。次いで、このIII族窒化物緩衝膜2上に、III族窒化物下地膜3を形成する。

Claim (excerpt)：

単結晶材料からなる基板上と、この基板上に形成された、少なくともAlを含み、らせん転位密度が1×108/cm2以下のIII族窒化物膜とを具えることを特徴とする、エピタキシャル下地基板。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/38 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205

F-Term (24)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EF03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC13 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA67 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052GC06 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 単結晶成長用基体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-177104   Applicant：京セラ株式会社
• 表面弾性波装置およびその基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-256095   Applicant：日本碍子株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292320   Applicant：松下電子工業株式会社
• ホウ素含有窒化アルミニウム薄膜および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-041687   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体の製造方法及び半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-143868   Applicant：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-050939   Applicant：住友金属工業株式会社
• 化合物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-050946   Applicant：住友金属工業株式会社