固体撮像素子およびその駆動方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000001025
Publication number (International publication number)：2001197367
Application date： Jan. 06, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】本発明は、汎用CMOSプロセスで電荷-電圧変換効率を向上させることができるようにしたCMOSイメージ一ジセンサの画素として適用可能な固体撮像素子およびその駆動方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様によると、画素を複数有する固体撮像素子であり、上記画素は、p-n接合のフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生した電荷を検出容量に転送する転送トランジスタと、上記検出容量をリセットするリセットトランジスタを具備し、上記転送トランジスタは、ハイレベルの電圧が上記リセットトランジスタを駆動するパルスのハイレベルの電圧より低いパルスで駆動されることを特徴とする固体撮像素子が提供される。

Claim (excerpt)：

画素を複数有する固体撮像素子であり、上記画素は、p-n接合のフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生した電荷を検出容量に転送する転送トランジスタと、上記検出容量をリセットするリセットトランジスタを具備し、上記転送トランジスタは、ハイレベルの電圧が上記リセットトランジスタを駆動するパルスのハイレベルの電圧より低いパルスで駆動されることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2)：

H04N 5/335 , H01L 27/146

FI (3)：

H04N 5/335 E , H04N 5/335 Z , H01L 27/14 A

F-Term (14)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DB09 , 4M118DB10 , 4M118DD12 , 4M118FA06 , 4M118FA33 , 5C024CX41 , 5C024GX03 , 5C024GY35 , 5C024GY38 , 5C024GZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-174504 Applicant：株式会社東芝
固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-061231 Applicant：キヤノン株式会社
固体撮像装置およびその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-156982 Applicant：松下電子工業株式会社

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