屈折率導波型半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997266566
Publication number (International publication number)：1999112080
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】制御された横モードで発振する高出力の半導体レーザ装置を容易に作成可能とする。【解決手段】 n-GaAs基板1上にn型クラッド層2、下部光導波層3、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3 活性層4、上部光導波層7およびp型クラッド層8の各半導体層をこの順に積層して屈折率導波型半導体レーザを構成し、この際、前記上部光導波層7を、Inx2(Alz2Ga1-z2)1-x2As1-y2Py2 (1≧y2≧0.8 )第一光導波層5と、この第一光導波層5の上面に形成され、発振波長の光に対する該第一光導波層5の屈折率±2%以内の屈折率を有するGa1-z1Alz1As光導波層6とからなるものとする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に下部クラッド層、下部光導波層、活性層、上部光導波層および上部クラッド層の各半導体層がこの順に積層されてなる屈折率導波型半導体レーザ装置であって、前記下部および上部クラッド層、前記下部および上部光導波層がそれぞれ前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記上部光導波層が、Inx2(Alz2Ga1-z2)1-x2As1-y2Py2 (1≧y2≧0.8 )光導波層と、該Inx2(Alz2Ga1-z2)1-x2As1-y2Py2 光導波層の上面に形成されたGa1-z1Alz1As光導波層とを備え、前記Inx2(Alz2Ga1-z2)1-x2As1-y2Py2 光導波層と前記Ga1-z1Alz1As光導波層との、発振波長の光に対する屈折率の差が、両屈折率のうち大きい方の屈折率の2%以内であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-032106 Applicant：日本電気株式会社
特開平1-238085
特開平3-240287

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