半導体レーザ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柳田征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995305673
Publication number (International publication number)：1996274407
Application date： Nov. 24, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【課題】良質の結晶が再現性良く得られ、高出力発振下においても信頼性の高い、発振波長帯0.63〜1.1 μmの半導体レーザを得る。【解決手段】活性層5をInGaAsP系の化合物半導体から形成し、この活性層5を挟む光導波層4、6を、V族元素の中でのAsの含有量が2%以上であるInGaAsP系の4元の化合物半導体、あるいはV族元素の中でのAsの含有量が2〜10%であるInGaAlAsP系の5元の化合物半導体から形成し、クラッド層3、7を、V族元素の中でのAsの含有量が2〜10%である、InGaAsP系の4元あるいはInGaAlAsP系の5元の化合物半導体から形成する。

Claim (excerpt)：

活性層がInGaAsP系の化合物半導体からなり、この活性層を挟む光導波層が、V族元素の中でのAsの含有量が2%以上であるInGaAsP系の4元の化合物半導体、あるいはV族元素の中でのAsの含有量が2〜10%であるInGaAlAsP系の5元の化合物半導体からなり、クラッド層が、V族元素の中でのAsの含有量が2〜10%である、InGaAsP系の4元あるいはInGaAlAsP系の5元の化合物半導体からなることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

歪量子井戸半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070598 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電線株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-225545 Applicant：沖電気工業株式会社
面発光型半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-294301 Applicant：日本電信電話株式会社

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