半導体装置及び表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001279802
Publication number (International publication number)：2002175029
Application date： Sep. 14, 2001
Publication date： Jun. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】複数の有機EL素子への供給電流ばらつきを低減する。【解決手段】有機EL素子50と電源ラインVLとの間に、電源ラインVLから供給する電流量を制御する素子駆動用TFT20を備え、TFT20のチャネル長方向を、画素の長手方向、又はTFT20を制御するスイッチング用TFT10にデータ信号を供給するデータラインDLの延在方向、又はTFT20の能動層16を多結晶化するためのレーザアニールの走査方向に平行な方向に配置する。さらに電源ラインVLとTFT20の間にTFT20と逆特性の補償用TFT30を備えていても良い。

Claim (excerpt)：

ゲート信号をゲートに受けて動作し、データ信号を取り込むスイッチング用薄膜トランジスタと、駆動電源と被駆動素子との間に設けられ、前記スイッチング用薄膜トランジスタから供給されるデータ信号に応じ、前記駆動電源から前記被駆動素子に供給する電力を制御する素子駆動用薄膜トランジスタと、を有し、さらに、前記駆動電源と前記素子駆動用薄膜トランジスタとの間には、前記素子駆動用薄膜トランジスタと逆導電特性の補償用薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

G09F 9/30 365 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (7)：

G09F 9/30 365 Z , H01L 21/20 , H01L 27/08 331 E , H05B 33/14 A , H01L 29/78 614 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 627 G

F-Term (47)：

3K007AB00 , 3K007AB02 , 3K007BA06 , 3K007CB01 , 3K007DA00 , 3K007DB03 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA03 , 5C094AA25 , 5C094AA53 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BE08 , 5F048BF02 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA07 , 5F052DA02 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110EE28 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG26 , 5F110HJ01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HM18 , 5F110NN73 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

定電流駆動回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-229650 Applicant：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-174541 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-070820

Show all

Return to Previous Page