ELO用III族窒化物半導体基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001178044
Publication number (International publication number)：2003002796
Application date： Jun. 13, 2001
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】膜厚の大小に依存することなく表面粗さを抑制したIII族窒化物膜を作製するための、ELO用III族窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】サファイア単結晶などからなる基板21上に、低温バッファ層を介することなく、少なくともAlを含むIII族窒化物下地層23を直接的に形成する。次いで、下地層23上にSiO2などからなるパターン層24を形成する。

Claim (excerpt)：

所定の基材と、この基材上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物下地層とを具えることを特徴とする、ELO用III族窒化物半導体基板。

IPC (7)：

C30B 29/38 , C23C 16/34 , C30B 25/04 , H01L 21/205 , H01L 29/201 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (7)：

C30B 29/38 D , C23C 16/34 , C30B 25/04 , H01L 21/205 , H01L 29/201 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

F-Term (29)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EE07 , 4G077EF01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA38 , 4K030BA55 , 4K030CA04 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F045AA03 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD16 , 5F045AE23 , 5F073CA02 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073DA35 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

GaN系結晶成長用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-179339 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-231057 Applicant：学校法人名城大学, 日本学術振興会

Cited by examiner (2)

GaN系結晶成長用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-179339 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-231057 Applicant：学校法人名城大学, 日本学術振興会

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