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J-GLOBAL ID：200903086449665012

半導体の製造方法および該方法により製造した半導体素子

Inventor： 新田 州吾 ,  山口 栄雄 ,  天野 浩 ,  赤▲崎▼ 勇
Applicant, Patent owner： 学校法人 名城大学 ,  日本学術振興会
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999231057
Publication number (International publication number)：2001057341
Application date： Aug. 18, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 マストランスポート現象を利用する簡略化された製造工程によって貫通転位密度等を改善した半導体を製造する方法を提供する【解決手段】 基板4上に緩衝層であるAlN層7を積層し、AlN層7上にIII 族窒化物層であるGaN層8を積層し、GaN層8に段差構造13を形成し、前記段差構造13を形成した状態の基板4を600〜1300°Cの温度(例えば1000°C)で加熱するとともに加熱中にキャリアガスとして窒素ガスを供給するとともにV族源としてアンモニアガスを供給することにより、GaN層8を形成する物質の一部を段差構造13内に横方向に移動させるマストランスポート現象を生じさせ、それにより低転位密度領域16を形成する。

Claim (excerpt)：

III 族窒化物半導体を製造する半導体の製造方法であって、基板上にIII 族窒化物層を積層する工程と、該III 族窒化物層に段差構造を形成する工程と、前記段差構造を形成した状態の基板を600〜1300°Cの温度で加熱するとともに加熱中に所定物質を供給することにより、前記III 族窒化物層を形成する物質の一部を前記段差構造内に移動させるマストランスポート現象を生じさせる工程とから成ることを特徴とする、半導体の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (7)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 B ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 E

F-Term (72)：

5F003AP00 ,  5F003AZ03 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP33 ,  5F003BZ03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045DP07 ,  5F045EB15 ,  5F045EE14 ,  5F049MA02 ,  5F049MA14 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049NA08 ,  5F049NA20 ,  5F049PA03 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20 ,  5F073AA75 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GR01 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 低転位窒化ガリウムの結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-186583   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-275826   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 3-5族化合物半導体とその製造方法および半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-266898   Applicant：住友化学工業株式会社
• 特開昭63-038277
  
• GaN系半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-307677   Applicant：三菱電線工業株式会社