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J-GLOBAL ID：200903030302577600

半導体上の欠陥材料を自動的に分析するシステム及び方法

Inventor：
ノーム ドタン

About ノーム ドタン

, 
アレクサンダー カディシェヴィッチ

About アレクサンダー カディシェヴィッチ


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046227
Publication number (International publication number)：2000321225
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウェーハ上の欠陥の分析に特に有利であり、自動化による製造プラント内でのウェーハのインライン検査に適するシステムを提供する。【解決手段】 バックグラウンドに起因するx線信号を定量的に考慮する欠陥のEDX自動分析用システムを用いる。本システムは、バックグラウンドと欠陥のx線サンプリングに適切な場所を自動的に同定することができる。本システムは、また、バックグラウンドに起因し欠陥に起因しない信号を効果的に、かつ定性的ではなく定量的に除去することができる。『微量分析』と呼ばれる有利な特徴が本システムのスループットを高くすることを可能にする。
Claim (excerpt)：
バックグラウンド内の物体の材料自動分析方法であって、物体のスペクトルを得るステップ、バックグラウンドのスペクトルを得るステップ、該物体に存在する元素に対応する、該物体のスペクトルからのカウント数を得るステップ、バックグラウンドに存在する元素に対応する、該バックグラウンドのスペクトルからのカウント数を得るステップ、該バックグラウンドと物体のスペクトルの該カウント数を解析してバックグラウンドと物体のスペクトルに現れる元素が該物体内に存在しない元素であるか否かを決定するステップ、該物体の該スペクトルカウントを前記存在しない元素の該カウントによって標準化して物体の正味カウントを得るステップ、 及び該物体の正味カウントを解析して該物体の材料組成を求めるステップを含む方法。
IPC (2)：
G01N 23/225 ,  H01L 21/66
FI (3)：
G01N 23/225 ,  H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 J
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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