開環メタセシス共重合体水素添加物およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001114075
Publication number (International publication number)：2001354756
Application date： Apr. 12, 2001
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】【課題】耐熱性、耐熱分解性、光透過性に優れ、半導体微細加工用フォトレジストに適した開環メタセシス重合体水素添加物を提供する。【解決手段】少なくとも式[3]および/または[4]の構造単位を含む開環メタセシス重合体水素添加物。【化1】[R8〜R11、R13〜R16はH又はC1-10のアルキル基、X2、X3は-O-又は-CR122-(R12はH又はC1-10のアルキル基)、Y1、Y2は一方が-(C=O)-、他方が-CR182-(R18はH又はC1-10のアルキル基)、m、nは0又は1-3の整数]

Claim (excerpt)：

下記一般式[1]【化1】(式中、R1〜R4のうち少なくとも一つが、下記一般式[2]【化2】(式中、鎖線は結合手を示す。R5は水素原子、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、炭素数2〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシアルキル基、または炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアシル基を示す。R6は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基を示す。W1は単結合または炭素数1〜10のk+2価の炭化水素基を示す。Zは炭素数2〜15の2価の炭化水素基を示し、結合する炭素原子とともに単環または架橋環を形成する。kは0または1である。)で表される環状アルキルの三級エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、ハロゲン、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のハロゲン化アルキル基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシ基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシアルキル基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6〜20のアリールスルホニルオキシ基、炭素数2〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシカルボニル基、または炭素数3〜20の直鎖状、分岐状または環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、X1 は-O-または-CR72-(R7は水素原子または炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す)であり、同一でも異なってもよい。jは0または1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[A]を所望により含み、かつ、下記一般式[3]【化3】(式中、R8〜R11は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基であり、X2は-O-または-CR122-(R12は水素原子または炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す)であり、同一でも異なってもよい。mは0または1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[B]および/または下記一般式[4]【化4】(式中、R13〜R16は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜10の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基であり、 X3は-O-または-CR172-(R17は水素原子または炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す)であり、同一でも異なってもよい。Y1およびY2は、一方が-(C=O)-であり、他方は、-CR182-(R18は水素原子または炭素数1〜10の直鎖状または分岐状のアルキル基を表す)である。nは0または1〜3の整数を表す。)で表される構造単位[C]を少なくとも含み、かつ、一般式[1]で表される構造単位[A]のX1、一般式[3]で表される構造単位[B]のX2、および一般式[4]で表される構造単位[C]のX3のうち少なくとも1つが-O-であり、その構成モル比[A]/([B]および[C])が0/100〜99/1であり、かつ重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比(Mw/Mn)が1.0〜2.0である開環メタセシス重合体水素添加物。

IPC (2)：

C08G 61/12 , G03F 7/039 601

FI (2)：

C08G 61/12 , G03F 7/039 601

F-Term (14)：

2H025AA00 , 2H025AA10 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J032BB03 , 4J032BB06 , 4J032BC01 , 4J032BD01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-056682 Applicant：信越化学工業株式会社
レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-113351 Applicant：信越化学工業株式会社
ポリマー及びフォトレジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-048803 Applicant：シップレーカンパニーエルエルシー

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