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J-GLOBAL ID：200903030385547368

半導体受光素子、半導体受光装置及び半導体装置

Inventor： 寺野 昭久 ,  松岡 康信 ,  田中 滋久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001084307
Publication number (International publication number)：2002289906
Application date： Mar. 23, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板入射型半導体受光素子の素子容量Cの低減に向けた素子サイズの縮小化を図り、超高速かつ高感度の光モジュールや光伝送装置を作製する。【解決手段】基板入射型半導体受光素子の光入射側とは反対側でかつ入射光が半導体中を透過して到達する基板上の受光径内に、寸法を規定した複数のオーミック接続部10と、半導体に接して透明膜、金属膜11の順に積層した反射鏡12とを混在して設けることにより達成される。【効果】伝送容量の拡大に対応した超高速かつ高感度の光モジュール、半導体受光装置、および光伝送装置を再現性良く作製できる。

Claim (excerpt)：

基板入射型半導体受光素子の光入射側とは反対側でかつ入射光が半導体中を透過して到達する基板上の受光径内に、細線状又は点状の形状の複数のオーミック接続部と、上記半導体に接して透明膜、金属膜の順に積層した反射鏡とを混在させて構成されることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (5)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/12

FI (5)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/12 H ,  H01L 31/10 H ,  H01L 27/14 J ,  H01L 31/02 C

F-Term (46)：

2H037AA01 ,  2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA12 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA01 ,  4M118BA02 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB03 ,  4M118CB14 ,  4M118FC03 ,  4M118GA02 ,  4M118GA08 ,  4M118HA21 ,  4M118HA22 ,  4M118HA23 ,  5F049MA04 ,  5F049MA08 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA15 ,  5F049NB01 ,  5F049SZ16 ,  5F049TA14 ,  5F049WA01 ,  5F088AA03 ,  5F088AA05 ,  5F088AB07 ,  5F088BA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BB01 ,  5F088HA09 ,  5F088JA14 ,  5F088LA01 ,  5F089AA01 ,  5F089AB03 ,  5F089AC08 ,  5F089CA12 ,  5F089CA14 ,  5F089GA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-046409   Applicant：日本電信電話株式会社
• pinフォトダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-249761   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (2)

• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-046409   Applicant：日本電信電話株式会社
• pinフォトダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-249761   Applicant：日本電信電話株式会社