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J-GLOBAL ID：200903030446990537

磁気センサ、ホール素子、磁気抵抗効果素子、ホール素子の作製方法、磁気抵抗効果素子の作製方法

Inventor：
三好 実人

About 三好 実人

, 
田中 光浩

About 田中 光浩


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (2)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007240959
Publication number (International publication number)：2009071238
Application date： Sep. 18, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：
【課題】温度特性が良好でかつ高感度で動作する磁気センサを提供する。【解決手段】所定の基板の上にGaN層とAlGaN層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサにおいて、基板を、表面がm面もしくはa面であるGaN、AlN、AlGaN、ZnO、α-SiCから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がa面であるγ-LiAlO2単結晶基板、あるいは表面がr面であるサファイア単結晶基板のいずれかから選択し、動作層を、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにc軸が基板の表面に対して略平行であるように形成する。GaN層とAlGaN層とのヘテロ接合界面近傍に蓄えられる二次元電子ガスの濃度が好適に抑制されることによって、室温から高温まで略同一の高い測定感度で動作する磁気センサが実現される。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
所定の基板の上にGaN層とAlGaN層とのヘテロ接合構造を有する動作層を備える磁気センサであって、 前記基板が、表面がm面もしくはa面であるGaN、AlN、AlGaN、ZnO、α-SiCから選ばれる六方晶材料の単結晶基板、表面がa面であるγ-LiAlO2単結晶基板、あるいは表面がr面であるサファイア単結晶基板のいずれかであり、 前記動作層は、結晶構造がウルツ鉱型構造であるとともにc軸が前記基板の表面に対して略平行である、 ことを特徴とする磁気センサ。
IPC (5)：
H01L 43/06 ,  H01L 43/14 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/07
FI (5)：
H01L43/06 S ,  H01L43/14 ,  H01L43/08 S ,  H01L43/12 ,  G01R33/06 H
F-Term (28)：
2G017AA02 ,  2G017AC04 ,  2G017AD53 ,  2G017AD61 ,  2G017AD65 ,  5F092AA01 ,  5F092AA08 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AD06 ,  5F092AD07 ,  5F092BA06 ,  5F092BA07 ,  5F092BA15 ,  5F092BA16 ,  5F092BA19 ,  5F092BA22 ,  5F092BA25 ,  5F092BA34 ,  5F092BA35 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB46 ,  5F092BB55 ,  5F092BC13 ,  5F092BE14 ,  5F092CA03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • ホール素子及びホールIC
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-243424   Applicant：旭化成株式会社
  • 高温用磁気センサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-263553   Applicant：国立大学法人東京工業大学
Cited by examiner (3)
  • ホール素子及びホールIC
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-243424   Applicant：旭化成株式会社
  • 縦型ホール素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-314415   Applicant：株式会社デンソー, 前中一介
  • 磁気抵抗素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-384305   Applicant：株式会社村田製作所
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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