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J-GLOBAL ID：200903059320132711

高温用磁気センサ

Inventor：
サンドゥー アダルシュ

About サンドゥー アダルシュ


Applicant, Patent owner：
国立大学法人東京工業大学

About 国立大学法人東京工業大学


Agent (2)： 石原 昌典 ,  生井 和平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004263553
Publication number (International publication number)：2006080338
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：
【課題】高温条件下においても十分な感度が得られるような高温用の磁気センサを提供する。【解決手段】200°C〜600°C程度の高温で磁界を高精度に測定するための磁気センサは、III族窒化物半導体層と、前記III族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成するAlxGa1-xN層とを有する。ここで、AlxGa1-xN層のAl組成(x)は、0.3よりも大きく、0.5以下、好ましくは0.4とする。III族窒化物半導体層には、例えばGaNが利用可能である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
高温で磁界を測定する磁気センサであって、該磁気センサは、 III族窒化物半導体層と、 前記III族窒化物半導体層とヘテロ接合を構成し、Al組成(x)が0.3よりも大きく、0.5以下であるAlxGa1-xN層と、 を具備することを特徴とする高温用磁気センサ。
IPC (3)：
H01L 43/06 ,  H01L 43/08 ,  G01R 33/07
FI (3)：
H01L43/06 S ,  H01L43/08 S ,  G01R33/06 H
F-Term (2)：
2G017AB05 ,  2G017AD53
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
  • ホール素子及びホールIC
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-243424   Applicant：旭化成株式会社
  • 特開昭62-093989
  • 特開平4-026172
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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