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J-GLOBAL ID:200903030495778144
トレンチショットキー整流器
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002524229
Publication number (International publication number):2004521480
Application date: Aug. 29, 2001
Publication date: Jul. 15, 2004
Summary:
ショットキー整流器を提供する。ショットキー整流器は、(a)互いに反対面となる第1及び第2の面と、第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、第2の面に隣接し、カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、(b)第2の面から半導体領域内に延び、半導体領域内に1以上のメサを画定する1以上のトレンチと、(c)トレンチの下部に設けられ、半導体領域に隣接する絶縁領域と、(d)(1)第2の面において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(2)トレンチの上部において、半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(3)トレンチの下部において、絶縁領域に隣接するアノード電極とを備える。
Claim (excerpt):
互いに反対面となる第1及び第2の面と、上記第1の面に隣接する第1の伝導性タイプを有するカソード領域と、上記第2の面に隣接し、上記カソード領域よりドープ濃度が低い第1の伝導性タイプを有するドリフト領域とを有する半導体領域と、
上記第2の面から上記半導体領域内に延び、該半導体領域内に1以上のメサを画定する1以上のトレンチと、
上記トレンチの下部に設けられ、上記半導体領域に隣接する絶縁領域と、
(a)上記第2の面において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(b)上記トレンチの上部において、上記半導体領域に隣接し、ショットキー整流コンタクトを形成し、(c)上記トレンチの下部において、上記絶縁領域に隣接するアノード電極とを備えるショットキー整流器。
IPC (2):
FI (1):
F-Term (12):
4M104BB01
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB30
, 4M104BB40
, 4M104CC03
, 4M104DD08
, 4M104DD09
, 4M104DD16
, 4M104DD43
, 4M104FF31
, 4M104GG03
Patent cited by the Patent: