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J-GLOBAL ID：200903030754141923

交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也

, 
斎藤 正路

About 斎藤 正路


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001081820
Publication number (International publication number)：2002280641
Application date： Mar. 22, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【目的】 従来におけるシードレイヤではCrの組成比は35at%以下から40at%以下であったが、今後の高記録密度化に適切に対応するには前記Crの組成比を大きくして前記シードレイヤ表面の濡れ性を高める必要があった。【構成】 シードレイヤ22のCr組成比を35at%以上で60at%以下とし、膜厚を10Å以上で200Å以下の範囲内で形成し、さらにスパッタ条件などを適正化して結晶構造を面心立方構造のみで構成する。これにより面心立方構造を保ちながらシードレイヤ表面の濡れ性を向上させることができ、抵抗変化率(ΔR/R)などを従来よりも向上させることが可能になる。
Claim (excerpt)：
下から非磁性材料あるいは一部が強磁性材料で形成されたシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤは元素α(Fe、Ni、Coのうちいずれか1種または2種以上)とCrを含有し、前記Crの組成比は、35at%以上で60at%以下であり、前記シードレイヤの膜厚は、10Å以上で200Å以下であり、前記シードレイヤの結晶構造は面心立方構造であることを特徴とする交換結合膜。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
FI (5)：
H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R
F-Term (13)：
2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA21 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049GC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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