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J-GLOBAL ID：200903035165513863

交換結合膜と前記交換結合膜を用いた磁気検出素子、ならびに前記交換結合膜の製造方法と前記磁気検出素子の製造方法

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也

, 
斎藤 正路

About 斎藤 正路


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001042908
Publication number (International publication number)：2002246230
Application date： Feb. 20, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：
【要約】【目的】 従来におけるシードレイヤではCrの組成比は40原子%以下であったが、今後の高記録密度化に適切に対応するには前記Crの組成比を大きくして前記シードレイヤ表面の濡れ性を高める必要があった。【構成】 シードレイヤ22の反強磁性層4との界面でのCrの組成比は40原子%以上で、このCrの組成比は、前記シードレイヤ22の前記反強磁性層4と反対側の面でのCrの組成比よりも大きく、前記シードレイヤ22には、前記反強磁性層4側に向かうにしたがって、前記Crの組成比が増加する領域が存在し、前記シードレイヤ22の結晶構造は前記反強磁性層との界面で面心立方構造である。これにより面心立方構造を保ちながらシードレイヤ表面の濡れ性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
下から非磁性あるいは一部が強磁性材料で形成されたシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤは元素α(Fe、Ni、Coのうちいずれか1種または2種以上)とCrを含有し、前記シードレイヤの前記反強磁性層との界面での前記Crの組成比は40原子%以上で、このCrの組成比は、前記シードレイヤの前記反強磁性層と反対側の面でのCrの組成比(原子%)よりも大きくなっており、前記シードレイヤには、前記反強磁性層側に向かうにしたがって、前記Crの組成比(原子%)が増加する領域が存在し、前記シードレイヤの結晶構造は前記反強磁性層との界面で面心立方構造(fcc構造)であることを特徴とする交換結合膜。
IPC (6)：
H01F 10/32 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (6)：
H01F 10/32 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
F-Term (12)：
5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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