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J-GLOBAL ID：200903030777712499

基板表面処理装置及び方法

Inventor：
鈴木 直樹

About 鈴木 直樹

, 
西田 一人

About 西田 一人

, 
冨田 和之

About 冨田 和之


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001268801
Publication number (International publication number)：2003073862
Application date： Sep. 05, 2001
Publication date： Mar. 12, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基板に対する過剰なプラズマ処理を防止して基板の品質を維持することができる、基板表面処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 反応室110内にて基板109の表面をプラズマ処理する場合、発光分光分析器141又は質量分析器142と、制御装置150とを備え、基板に含まれる例えば臭素を検出時には、プラズマ中のイオンのエネルギを低減させる制御を行い、基板の不純物の除去終了を検出したときには、基板に対する表面処理を終了するように制御するようにした。よって、上記臭素が基板に再付着し基板を腐食するのを防止することができ、又、不純物の除去が終了したときには、基板に対して過剰に上記イオンが照射されるのを防止し基板へのダメージを低減することができ、基板の品質を維持することができる。
Claim (excerpt)：
反応室(110)内に配置した基板(109)に対して該反応室内で発生させたプラズマ中のイオンにより上記基板の表面処理を行う基板表面処理装置であって、上記反応室に取り付けられ、上記基板を構成する成分が上記表面処理により当該基板から分離されたか否か、及び上記基板表面に付着している不純物が上記表面処理により除去されたか否かの少なくとも一方を検出する検出装置(140)と、上記検出装置による検出情報に基づいて、上記基板構成成分の上記分離が生じたときには上記プラズマ中の上記イオンのエネルギーを低減させる制御を行い、上記不純物の除去が終了したときには当該表面処理を終了する制御を行う制御装置(150)と、を備えたことを特徴とする基板表面処理装置。
IPC (3)：
C23F 4/00 ,  H05K 3/26 ,  H05K 3/32
FI (3)：
C23F 4/00 A ,  H05K 3/26 A ,  H05K 3/32 B
F-Term (28)：
4K057DA01 ,  4K057DA14 ,  4K057DB11 ,  4K057DD01 ,  4K057DD02 ,  4K057DE14 ,  4K057DG08 ,  4K057DG15 ,  4K057DJ02 ,  4K057DM02 ,  4K057DM28 ,  4K057DM31 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DM39 ,  4K057DN01 ,  5E319AC01 ,  5E319BB16 ,  5E319CC61 ,  5E319CD01 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343AA18 ,  5E343EE08 ,  5E343EE36 ,  5E343EE46 ,  5E343FF23 ,  5E343GG20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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